韓國(guó)專業(yè)晶圓代工企業(yè) Key Foundry 正式宣布,其基于 180 納米(nm)工藝平臺(tái)的高壓 Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)器件已進(jìn)入量產(chǎn)階段。這一進(jìn)展標(biāo)志著該公司在模擬與電源管理集成電路(IC)制造領(lǐng)域的技術(shù)能力邁上了新臺(tái)階,為全球客戶提供了更先進(jìn)、更具競(jìng)爭(zhēng)力的制造解決方案。
技術(shù)核心:180nm 高壓 BCD 工藝的優(yōu)勢(shì)
BCD 技術(shù)是一種將雙極型晶體管(Bipolar)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(CMOS)和雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(DMOS)集成在同一芯片上的先進(jìn)工藝。Key Foundry 此次量產(chǎn)的 180nm 高壓 BCD 平臺(tái),集成了能夠耐受數(shù)十伏乃至更高工作電壓的器件,特別適用于需要高可靠性、高效率功率處理以及復(fù)雜模擬信號(hào)控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
與更早期的 BCD 工藝相比,180nm 節(jié)點(diǎn)在晶體管密度、性能與功耗之間實(shí)現(xiàn)了更優(yōu)的平衡。它使得設(shè)計(jì)人員能夠在單一芯片上集成更復(fù)雜的模擬功能模塊(如高精度運(yùn)算放大器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器)、數(shù)字控制邏輯(CMOS)以及高效的功率輸出級(jí)(高壓 DMOS)。這種高集成度有助于系統(tǒng)廠商縮小產(chǎn)品尺寸、降低整體物料成本(BOM),并提升最終電子設(shè)備的能效與可靠性。
市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力與典型應(yīng)用
Key Foundry 選擇此時(shí)推進(jìn) 180nm 高壓 BCD 的量產(chǎn),深刻回應(yīng)了當(dāng)前市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求。隨著汽車電子化、工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)電子快充以及可再生能源系統(tǒng)的快速發(fā)展,對(duì)高效、智能的電源管理和模擬信號(hào)鏈芯片的需求持續(xù)增長(zhǎng)。
該工藝平臺(tái)非常契合以下幾大關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域:
對(duì)產(chǎn)業(yè)生態(tài)的意義
Key Foundry 作為一家從 Magnachip(美格納半導(dǎo)體)代工部門獨(dú)立出來的專業(yè)代工廠,其 180nm 高壓 BCD 工藝的量產(chǎn),豐富了全球特色工藝代工市場(chǎng)的供應(yīng)選項(xiàng)。這為眾多無晶圓廠(Fabless)的芯片設(shè)計(jì)公司,特別是專注于模擬與電源管理領(lǐng)域的公司,提供了一個(gè)可靠的制造伙伴。設(shè)計(jì)公司可以利用這一成熟且經(jīng)過量產(chǎn)驗(yàn)證的工藝平臺(tái),加速產(chǎn)品開發(fā)周期,更快地將高性能芯片推向市場(chǎng)。
這也體現(xiàn)了在先進(jìn)邏輯制程(如 7nm、5nm)競(jìng)爭(zhēng)白熱化的基于特定應(yīng)用優(yōu)化的特色工藝(如 BCD、MEMS、射頻等)依然是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不可或缺的重要基石。這些工藝往往具有更長(zhǎng)的生命周期和穩(wěn)定的需求,是代工廠構(gòu)建差異化競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵。
展望未來
隨著量產(chǎn)進(jìn)程的推進(jìn),Key Foundry 預(yù)計(jì)將與其客戶緊密合作,基于 180nm 高壓 BCD 平臺(tái)開發(fā)出更多樣化的產(chǎn)品。為了保持技術(shù)領(lǐng)先,代工廠通常會(huì)沿著兩個(gè)方向持續(xù)演進(jìn):一是進(jìn)一步優(yōu)化現(xiàn)有節(jié)點(diǎn)的性能,如提高功率密度、降低導(dǎo)通電阻、增強(qiáng)可靠性;二是在未來向更精細(xì)的工藝節(jié)點(diǎn)(如 130nm、90nm BCD)拓展,以支持更高頻率和更高集成度的設(shè)計(jì)需求。
Key Foundry 180nm 高壓 BCD 器件的成功量產(chǎn),不僅是該公司技術(shù)路線圖上的一個(gè)重要里程碑,也為整個(gè)高集成度模擬與電源芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)注入了新的活力,有望推動(dòng)下一波高效能、智能化電子設(shè)備的創(chuàng)新浪潮。
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更新時(shí)間:2026-01-21 21:41:09